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晶圆凸块


晶圆凸块技术可在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和综合成本优势。在晶圆凸块的众多合金材料和工艺与质量方面拥有丰富的经验,包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球或电镀技术。目前的晶圆凸块产品包括200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆直接凸块、重布线凸块和扇出型凸块,以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
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产品详情

        晶圆凸块生产线,使用的是晶圆级的工艺技术,包含薄膜、黄光、电镀、刻蚀等先进的集成电路工艺技术。其中薄膜工艺是制作预镀层及阻障层;黄光主要是针对电镀前开窗制作的工艺;电镀是制作金凸块并成型;刻蚀主要是去除多余的预镀层及阻障层。所以晶圆凸块生产线,也可以视作一个小型的晶圆厂,使用的都是集成电路工艺的技术和设备。

 

晶圆凸块

晶圆凸块工艺

 

晶圆凸块工艺介绍:

• UBM(Under Bump Metallurgy)金属溅射——晶圆凸块生成前之预镀层及阻障层
• 光阻涂布——利用光刻胶涂布设备进行光刻胶自动涂布
• 光刻——利用步进式光刻机进行光刻胶曝光
• 显影——使用湿式显影设备进行开窗显影
• 电镀——在光刻胶开窗区电镀形成晶圆凸块
• 光阻去除——使用湿式去胶设备去除芯片表面光刻胶
• UBM蚀刻——去除多余的预镀层及阻障层
• 金属韧化——利用韧化机改变金属的晶格排列,调整凸块的硬度
• AOI——自动化检测芯片生产良率,保证产品质量

 

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